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전자공학부 김대현 교수팀, 세계 최고 속도 반도체 전자소자 개발

등록일
2021-02-02 09:58
작성자
관리자
조회수
735
게시기간
2021-02-02 ~ 2026-02-28
경북대 연구진이 차세대 이동통신 기술(B5G & 6G)과 양자 컴퓨팅 기술에서 핵심 소재 및 부품으로 사용할 수 있는 세계 최고의 동작 속도를 가진 차세대 반도체 전자소자를 개발했다.

경북대 전자공학부 김대현 교수와 조현빈 박사과정생은 국내 중견기업인 ㈜큐에스아이와 일본 이동통신사 NTT 연구진과 공동 연구를 통해 세계에서 가장 빠른 738기가헤르츠(GHz)급의 고전자 이동도 트랜지스터(High-Electron-Mobility transistor, HEMT)* 전자소자를 개발했다. 동작 속도를 결정하는 차단 주파수(fT)가 738GHz로, 전계효과트랜치스터(이하 FET) 구조의 반도체 전자소자에서 가장 빠른 속도를 구현했다. 이는 현재 5G 시스템 대비 최소 10배 이상 빠른 통신이 가능할 것으로 기대된다.

연구책임자인 김대현 경북대 교수는 “다가올 6G와 같은 차세대 이동통신 시스템의 구현을 위해서는 고성능?다기능 반도체 전자소자의 개발이 필수적이다. 이번 연구 성과는 테라헤르츠(THz) 대역의 전자시스템의 소형화와 집적화, 고성능화를 앞당길 것으로 기대된다. 또한 구글, IBM, 인텔 등 세계 유수 기업에서 연구 중인 양자 컴퓨팅(Quantum computing)* 시스템의 미세한 양자 신호를 매우 정교하게 식별하는 핵심 반도체 소자 부품으로도 활용이 가능하다.”라고 설명했다.

연구 결과는 지난해 12월 18일 열린 세계 최고 권위의 반도체 관련 학술대회인 국제반도체소자학회(IEDM, International Electron Devices Meeting)에서 발표됐다. IEDM은 세계 3대 반도체 학술대회 중 하나다. 이번 연구는 과학기술정보통신부의 글로벌 핵심 인재 양성지원 사업(전문기관: IITP) 및 민군협력진흥원의 민군겸용 사업 지원으로 수행됐다.